Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 217-2593
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZA60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2593
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZA60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 72W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1mm | |
| Höhe | 41.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 72W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1mm | ||
Höhe 41.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.
600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ G
ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)
Integrierter Torwiderstand R G.
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich
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