Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 4-Pin IPZA60R180P7XKSA1 TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.15.855

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 210 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +CHF.3.171CHF.15.88

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2593
Herst. Teile-Nr.:
IPZA60R180P7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

72W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

15.9mm

Breite

5.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

41.2mm

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ G

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Verwandte Links