Teile-Nr.

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 95 W, 3-Pin IPW60R120P7XKSA1 TO-247

RS Best.-Nr.:: 217-2587
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R120P7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 95 W, 3-Pin IPW60R120P7XKSA1 TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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5 - 5	CHF.5.019	CHF.25.12
10 - 20	CHF.4.221	CHF.21.10
25 - 45	CHF.3.969	CHF.19.85
50 - 120	CHF.3.665	CHF.18.34
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RS Best.-Nr.:: 217-2587
Herst. Teile-Nr.:: IPW60R120P7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	29A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	CoolMOS P7
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	120mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	95W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.13mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.21 mm
	Höhe	41.42mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 29A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie CoolMOS P7
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 95W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.13mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.21 mm
	Höhe 41.42mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPW60R120P7XKSA1

Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand R G.

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 95 W, 3-Pin IPW60R120P7XKSA1 TO-247

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