Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 206 A 201 W, 3-Pin IPW60R045P7XKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IPW60R045P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

206A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

201W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

21.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.21mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600 V CoolMOS TM P7 Superjunction MOSFET ist der Nachfolger der 600 V CoolMOS TM P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.

ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)

Integrierter Torwiderstand RG

Robuste Gehäusediode

Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen

Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich

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