Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 26 A 28 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 220-7367
Herst. Teile-Nr.:: IPA60R120P7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 26 A 28 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF 74.75

Auf Lager

Zusätzlich 1'250 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 +	CHF 1.495	CHF 74.64

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 220-7367
Herst. Teile-Nr.:: IPA60R120P7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	26A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	CoolMOS P7
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	120mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	28W
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie CoolMOS P7
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 28W
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPA60R120P7XKSA1

Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET und Diode, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 78 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPA60R120P7XKSA1

Diese MOSFET-Diode ist ein Hochspannungs-Leistungsschaltgerät, das für die Durchsteckmontage in TO-220-Gehäusen entwickelt wurde und einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor mit einer integrierten Diode für den Einsatz in anspruchsvollen elektronischen Stromkreisen kombiniert. Er ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern und über einen breiten Umgebungstemperaturbereich arbeiten.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge in einem einzigen Gerät
• 78 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger Einschaltwiderstand von 120 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 28 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die Durchlassdiodenspannung von 0,9 V minimiert den Leitungsverlust der Diode
• 30-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Treiber-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Schaltnetzteilen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet zum Austausch in TO-220-Ausführungen mit Durchgangsbohrung

Welchen Temperaturbereich verträgt diese Komponente im Betrieb?

Es kann von -55 °C bis +150 °C betrieben werden und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen.

Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?

Sie ist für die Durchsteckmontage in einem TO-220-Gehäuse für eine sichere mechanische und thermische Befestigung vorgesehen.

Welchen Kanal und welche Leitungsart verwendet er zum Schalten?

Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Halbleiter, der im Enhancement-Modus für eine standardmässige gate-gesteuerte Leitung konfiguriert ist.

Ist es für die Konformität mit der Automobilklasse spezifiziert?

Es wird nicht als Kfz-Standardklassifizierung bezeichnet.

Wie viele Stifte bietet das Gehäuse für den elektrischen Anschluss?

Das Gehäuse verfügt über drei Stifte für Gate-, Drain- und Quellenanschlüsse.