Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 57.2 A TO-263

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RS Best.-Nr.:
220-7392
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R190CFDAATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

57.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.

Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt

Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt

Niedriger Gate-Ladewert Q g.

Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf

Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten

Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung

Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise

Bessere Effizienz bei geringer Last

Geringere Schaltverluste

Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich

Hohe Qualität und Zuverlässigkeit

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