Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 57.2 A IPB65R190CFDAATMA1 TO-263

RS Best.-Nr.:: 220-7393
Herst. Teile-Nr.:: IPB65R190CFDAATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 57.2 A IPB65R190CFDAATMA1 TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7393
Herst. Teile-Nr.:: IPB65R190CFDAATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	57.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	CoolMOS P7
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	190mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie CoolMOS P7
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPB65R190CFDAATMA1

Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.

Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt

Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt

Niedriger Gate-Ladewert Q g.

Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf

Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten

Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung

Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise

Bessere Effizienz bei geringer Last

Geringere Schaltverluste

Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich

Hohe Qualität und Zuverlässigkeit

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 57.2 A IPB65R190CFDAATMA1 TO-263

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