Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 57.2 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7393
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.3.539 | CHF.7.08 |
| 10 - 18 | CHF.3.192 | CHF.6.37 |
| 20 - 48 | CHF.2.972 | CHF.5.94 |
| 50 - 98 | CHF.2.772 | CHF.5.53 |
| 100 + | CHF.2.583 | CHF.5.17 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7393
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.
Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt
Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt
Niedriger Gate-Ladewert Q g.
Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf
Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten
Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung
Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise
Bessere Effizienz bei geringer Last
Geringere Schaltverluste
Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich
Hohe Qualität und Zuverlässigkeit
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