Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 26 A 28 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 220-7368
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R120P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*
CHF 21.77
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 4.353 | CHF 21.77 |
| 25 - 45 | CHF 3.919 | CHF 19.58 |
| 50 - 120 | CHF 3.656 | CHF 18.29 |
| 125 - 245 | CHF 3.394 | CHF 16.98 |
| 250 + | CHF 3.182 | CHF 15.89 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7368
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R120P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET und Diode, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 78 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPA60R120P7XKSA1
Diese MOSFET-Diode ist ein Hochspannungs-Leistungsschaltgerät, das für die Durchsteckmontage in TO-220-Gehäusen entwickelt wurde und einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor mit einer integrierten Diode für den Einsatz in anspruchsvollen elektronischen Stromkreisen kombiniert. Er ist für Anwendungen konzipiert, die eine hohe Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern und über einen breiten Umgebungstemperaturbereich arbeiten.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge in einem einzigen Gerät
• 78 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger Einschaltwiderstand von 120 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 28 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die Durchlassdiodenspannung von 0,9 V minimiert den Leitungsverlust der Diode
• 30-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Treiber-Spannungen
• 78 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Niedriger Einschaltwiderstand von 120 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 28 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die Durchlassdiodenspannung von 0,9 V minimiert den Leitungsverlust der Diode
• 30-V-Gate-Source-Grenzwert ermöglicht Standard-Gate-Treiber-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Schaltnetzteilen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet zum Austausch in TO-220-Ausführungen mit Durchgangsbohrung
• Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen
• Wird mit Schaltnetzteilen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet zum Austausch in TO-220-Ausführungen mit Durchgangsbohrung
Welchen Temperaturbereich verträgt diese Komponente im Betrieb?
Es kann von -55 °C bis +150 °C betrieben werden und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Sie ist für die Durchsteckmontage in einem TO-220-Gehäuse für eine sichere mechanische und thermische Befestigung vorgesehen.
Welchen Kanal und welche Leitungsart verwendet er zum Schalten?
Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Halbleiter, der im Enhancement-Modus für eine standardmässige gate-gesteuerte Leitung konfiguriert ist.
Ist es für die Konformität mit der Automobilklasse spezifiziert?
Es wird nicht als Kfz-Standardklassifizierung bezeichnet.
Wie viele Stifte bietet das Gehäuse für den elektrischen Anschluss?
Das Gehäuse verfügt über drei Stifte für Gate-, Drain- und Quellenanschlüsse.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 78 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 57.2 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 151 A, 3-Pin TO-263
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 100 A 137 W, 5-Pin VSON
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 151 A 201 W, 5-Pin VSON
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220
