Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4368
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R120P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.767 | CHF.18.85 |
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| 50 - 120 | CHF.3.171 | CHF.15.84 |
| 125 - 245 | CHF.2.939 | CHF.14.71 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4368
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R120P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 26A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 95W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.02mm | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 95W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.02mm | ||
Höhe 4.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist weiterhin ein Ausgleich zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
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