Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 214-4367
Herst. Teile-Nr.:: IPB60R120P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF 1'505.00

Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	CHF 1.505	CHF 1'504.90

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 214-4367
Herst. Teile-Nr.:: IPB60R120P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	26A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	600V CoolMOS P7
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	120mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	95W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	9.27mm
	Höhe	4.5mm
	Länge	10.02mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 26A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie 600V CoolMOS P7
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 95W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 9.27mm
	Höhe 4.5mm
	Länge 10.02mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPB60R120P7ATMA1

Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 26 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB60R120P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für die Oberflächenmontage in elektronischen Stromkreisen vorgesehen, in denen eine Hochspannungsblockierung und eine hohe Gleichstromfähigkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassspannung von 600 V ermöglicht Hochspannungs-Systemkonzepte
• 26 A Dauerstrom unterstützen eine robuste Lastaufnahme
• 120 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Eine typische Gate-Ladung von 36 nC ermöglicht eine vorhersehbare Antriebsgröße
• Maximale Verlustleistung von 95 W ermöglicht einen hohen Leistungsdurchsatz
• 0,9 V Durchlassspannungsgrenzwert für den Diodenabfall in synchrone Schaltkreisen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für resonante und hart schaltende Wandler
• Wird mit Hochspannungs-Motorantriebs-Frontenden verwendet
• Kann für Hilfsschienen in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Elektronikschränke

Welchen Gehäusetyp verwendet er für die Platinenmontage?

Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist und die Wärmeleitung zu einem Leiterplatten-Muster erleichtert.

Wie verträgt das Gerät extreme Temperaturen während des Betriebs?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.

Welche Gate-Treiber-Einschränkungen sollte ich beachten?

Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V, sodass die Antriebsschaltkreise innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben müssen, um Gate-Schäden zu vermeiden.

Welche Auswirkungen hat das Schaltverhalten auf die Layoutentscheidungen?

Die typische Gate-Ladung des Geräts von 36 nC und sein Rds(on)-Wert beeinflussen den Gate-Treiber-Strombedarf und die Kupferbreite, um I2R-Verluste zu minimieren.