Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 214-4369
Herst. Teile-Nr.:: IPB60R280P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 214-4369
Herst. Teile-Nr.:: IPB60R280P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	600V CoolMOS P7
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	280mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	53W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	18nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	4.5mm
	Breite	9.27mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.02mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie 600V CoolMOS P7
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 53W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 4.5mm
	Breite 9.27mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.02mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPB60R280P7ATMA1

Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 12 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB60R280P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsübertragung und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erforderlich sind. Die Komponente eignet sich für Designs, die eine Hochspannungsblockierung, einen moderaten Leitungsstrom und eine kompakte Montage erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 600 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung
• 280 mΩ Rds(on) für effiziente Leitung unter normalen Betriebsbedingungen
• 18 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltenergie
• 53 W maximale Verlustleistung für thermische Spanne in Leistungsstufen
• 20-V-Gate-Toleranz für Kompatibilität mit gängigen Gate-Treibern

Anwendungsbereich

• Geeignet für Offline-Stromversorgungen und SMPS-Primärschalter
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler und Leistungsmodule
• Einsatz mit Gleichrichter- und Snubber-Netzwerken bei der Stromaufbereitung
• Kann für industrielle Motorantriebs-Frontenden verwendet werden
• Wird für Telekommunikations-Stromversorgungssysteme verwendet, die eine platzsparende Montage erfordern

Welches Gehäuse und welche Art von Montage sind dafür erforderlich?

Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage entwickelt wurde, um eine flache Platinenintegration und eine effiziente Wärmeleitfähigkeit auf Platinenebene zu gewährleisten.

Welche thermischen Grenzwerte regeln die Verwendung in Umgebungen mit hohen Temperaturen?

Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und definiert zulässige Umgebungs- und Anschlussbedingungen für einen zuverlässigen Betrieb innerhalb dieses Bereichs.

Wie wirkt sich die Gate-Spezifikation auf die Auswahl externer Treiber aus?

Bei einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V sollten die Treiber die Spitzen-Vgs innerhalb dieser Grenze halten und bei der Einstellung des Antriebsstroms für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit die typische Gate-Ladung von 18 nC berücksichtigen.

Welches Leitungsverhalten sollten Konstrukteure bei Dauerbelastung erwarten?

Erwarten Sie kontinuierliche Ablassströme von bis zu 12 A, wobei die Leitungsverluste durch den spezifizierten Einschaltwiderstand von 280 mΩ und das gesamte thermische Design der Platine beeinflusst werden.