Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4370
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.17.85
Auf Lager
- 290 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.785 | CHF.17.81 |
| 50 - 90 | CHF.1.691 | CHF.16.93 |
| 100 - 240 | CHF.1.617 | CHF.16.21 |
| 250 - 490 | CHF.1.554 | CHF.15.50 |
| 500 + | CHF.1.439 | CHF.14.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4370
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.27 mm | |
| Länge | 10.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.27 mm | ||
Länge 10.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist weiterhin ein Ausgleich zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Der branchenführende RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Cool MOS Plattform der 7. Generation sorgen für seinen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
Verwandte Links
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin IPD60R280P7SAUMA1 TO-252
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 26 A 95 W, 3-Pin IPB60R120P7ATMA1 TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin IPB60R360P7ATMA1 TO-263
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 22 W, 3-Pin IPA60R360P7SXKSA1