Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251

RS Best.-Nr.:: 217-2580
Herst. Teile-Nr.:: IPS70R360P7SAKMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*

CHF.43.35

Auf Lager

150 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
75 - 75	CHF.0.578	CHF.43.24
150 - 300	CHF.0.504	CHF.37.64
375 - 675	CHF.0.462	CHF.35.05
750 - 1800	CHF.0.431	CHF.32.45
1875 +	CHF.0.41	CHF.30.71

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 217-2580
Herst. Teile-Nr.:: IPS70R360P7SAKMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Serie	CoolMOS P7
	Gehäusegröße	TO-251
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	360mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd	53W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	16.4nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.73mm
	Höhe	9.82mm
	Breite	2.4 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Serie CoolMOS P7
	Gehäusegröße TO-251
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd 53W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.73mm
	Höhe 9.82mm
	Breite 2.4 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPS70R360P7SAKMA1

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251

Verwandte Links