Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 5.7 A 17.6 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
220-7444
Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

17.6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.1mm

Breite

2.38 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen im Verbrauchermarkt wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen, schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.

Extrem niedrige Verluste durch geringe FOMRDS(on) * Qgand RDS(on) * Eoss

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Produktvalidationa cc.JEDEC-Standard

Kostengünstige Technologie

Niedrigere Temperatur

Hohe ES-Robustheit

Ermöglicht höhere Schaltfrequenzen durch höhere Effizienz im Gainsat

Enableshighpowerdensdesignsandsmallformfaktoren

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