Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 950 V / 4 A 37 W, 3-Pin IPU95R2K0P7AKMA1

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Herst. Teile-Nr.:
IPU95R2K0P7AKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

950V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

37W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

2.41 mm

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Die IPU95R2K0P7 von Infineon wurde entwickelt, um den wachsenden Verbraucheranforderungen in der Hochspannungs-MOSFETs-Arena gerecht zu werden. Die neueste 950-V-Cool-MOS-P7-Technologie konzentriert sich auf den energiesparenden SMPS-Markt. Er bietet 50 V mehr Sperrspannung als sein Vorgänger 900 V Cool MOS C3, die Serie 950 V Cool MOS P7 bietet eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen P7-Familienmitglieder verfügt die Cool MOS P7-Serie 950V über einen integrierten Zenerdiode-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, reduziert so ESD-bedingte Ertragverluste und erreicht außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Cool MOS P7 wurde mit Best-in-Class VGS(der) von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, was das Ansteuern und das Design erleichtert.

Best-in-Class FOM RDS(on) Eoss; Reduzierte Qg, Ziss und Coss

Erstklassiger DPAK RDS(on) von 450 mΩ

Klassenbeste VGS(der) von 3 V und kleinste VGS(die)-Variation von ±0,5 V

Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

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