Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 6 A 27 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 219-5991
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA95R1K2P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- IPA95R1K2P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 27W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 27W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 950 V maximale Drain-Source-Spannung, 6 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPA95R1K2P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Transistor mit hoher Spannungsverstärkung, der für Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine dauerhafte thermische und elektrische Leistung erforderlich ist. Er arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und wird in einem TO‐220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für montierte Installationen geeignet ist und ein Gleichgewicht zwischen Spannungsbelastbarkeit, Strombelastbarkeit und Gate‐Drive‐Toleranz für den Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Schaltkreisen bietet.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 950 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten
• 120 mΩ Rds(on) sorgen für geringe Leitungsverluste beim Schalten
• Die Verlustleistung von 27 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Durchlassspannung von 0,9 V minimiert den Vf-bezogenen Leitungsabfall
• Die Gate-Source-Nennleistung von 30 V ermöglicht gängige Gate-Treiber-Spannungen
• 6 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten
• 120 mΩ Rds(on) sorgen für geringe Leitungsverluste beim Schalten
• Die Verlustleistung von 27 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die Durchlassspannung von 0,9 V minimiert den Vf-bezogenen Leitungsabfall
• Die Gate-Source-Nennleistung von 30 V ermöglicht gängige Gate-Treiber-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Offline-Schaltnetzteile auf der Primärseite
• Wird für industrielle Leistungsschaltungen und Motortreiber verwendet
• Kann für HV-Snubber und Klemmschaltungen verwendet werden
• Wird mit Stromversorgungen verwendet, die eine TO‐220-Montage erfordern
• Ideal für Offline-Schaltnetzteile auf der Primärseite
• Wird für industrielle Leistungsschaltungen und Motortreiber verwendet
• Kann für HV-Snubber und Klemmschaltungen verwendet werden
• Wird mit Stromversorgungen verwendet, die eine TO‐220-Montage erfordern
Welchen Umgebungstemperaturbereich verträgt er?
Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und +150 °C ausgelegt.
Wie viele Stifte und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er verfügt über drei Stifte und ist für die Durchsteckmontage in einem TO-220-Gehäuse ausgelegt.
Welchen Kanalmodus und -typ verwendet er?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus.
Was ist die maximale Ablass-Quellenspannung und welche Auswirkungen hat sie?
Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 950 V, was den Einsatz in Hochspannungsstromkreisen ermöglicht.
Welche elektrischen Grenzwerte regeln den Gate-Eingang?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten.
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