Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 4 A 37 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 219-5994
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R2K0P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 4 A 37 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 219-5994
Herst. Teile-Nr.:: IPD95R2K0P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	950V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	CoolMOS P7
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	37W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	10nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.22mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.41mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 950V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie CoolMOS P7
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 37W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.22mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.41mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 950 V Drain-Source-Spannung, 4 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD95R2K0P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungstransistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für oberflächenmontierte Anwendungen vorgesehen, bei denen ein kompaktes, thermisch leistungsfähiges Schaltgerät erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 950 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 2 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste im Hochstrombetrieb
• 10 nC Gate-Ladung reduziert Antriebsenergie und schaltbedingte Verluste
• 4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt zuverlässig moderate Lastströme
• Maximale Verlustleistung von 37 W ermöglicht erhebliche thermische Reichweite
• 20-V-Gate-Source-Fähigkeit für gängige Gate-Treiber-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Primärschalter mit Schaltnetzteil
• Wird mit industriellen Motorantriebs-Frontenden verwendet
• Kann für die Energieumwandlung in erneuerbaren Systemen verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule

Welche extremen Temperaturen kann er im Betrieb tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in breiten thermischen Ummantelungen.

Wie ist es für die Leiterplattenmontage verpackt?

Es wird in einem oberflächenmontierbaren TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Montage auf einer gelöteten Platine geeignet ist.

Welche Durchlasscharakteristik ist typisch für die Leitung?

Das Gerät weist während der Leitung unter geeigneten Bedingungen eine Durchlassspannung von 0,9 V auf.

Wie viele elektrische Verbindungen bietet er für die Schaltungsintegration?

Es bietet drei Pins für Standard-MOSFET-Anschlussanschlüsse.