Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 800 V / 7 A 51 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
220-7448
Herst. Teile-Nr.:
IPU80R750P7AKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET & Diode

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

750mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

51W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

2.41 mm

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 800 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Fly-Back-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet eine bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und eine um 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Fly-Back-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.

Best-in-Class FOM R DS(on) * E oss; Reduzierter Qg, C ist und C oss

Best-in-Class DPAK R DS(on) von 280 mΩ

Best-in-Class V (GS) der Variation von 3 V und kleinste V (GS) Von ±0,5 V

Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

Vollständig optimiertes Portfolio

0,1 % bis 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedriger MOSFET-Temperatur im Vergleich zu Cool MOS TM C3

Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten

Einfach zu fahren und zu entwickeln

Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen

Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld

Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs

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