Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 9.4 A 25 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 220-7443
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7443
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon hat die Super Junction MOSFET-Serie 700V Cool MOS P7 entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Fly-Back-Topologien gerecht zu werden. Es richtet sich an den energiesparenden SMPS-Markt, wie z. B. Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter, indem es grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Super-Junction-Technologien bietet. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Super Junction MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V Cool MOS P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf:
Extrem niedriger FOM R DS(on) x E oss; Untere Q g, E ein und E aus
Hochleistungsfähige Technologie
Geringe Schaltverluste (E oss)
Hoher Wirkungsgrad
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten
Integrierte Zenerdiode
Optimierte V (GS) der von 3 V mit sehr geringer Toleranz von ±0,5 V
Fein abgestuftes Portfolio
Kostengünstige Technologie
Bis zu 2,4 % Effizienzverstärkung und 12 K niedrigere Gerätetemperatur Im Vergleich zur C6-Technologie
Weitere Effizienzverstärkung bei höherer Schaltgeschwindigkeit
Unterstützt weniger magnetische Größe mit geringeren BOM-Kosten
Hohe ESD-Robustheit bis zur Stufe HBM Klasse 2
Einfach zu fahren und zu entwickeln
Enabler für kleinere Formfaktoren und Designs mit hoher Leistungsdichte
Ausgezeichnete Wahl bei der Auswahl des am besten passenden Produkts
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