Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251

RS Best.-Nr.:: 217-2581
Herst. Teile-Nr.:: IPS70R360P7SAKMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 217-2581
Herst. Teile-Nr.:: IPS70R360P7SAKMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Gehäusegröße	TO-251
	Serie	CoolMOS P7
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	360mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	16.4nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Verlustleistung Pd	53W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	9.82mm
	Breite	2.4 mm
	Länge	6.73mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Gehäusegröße TO-251
	Serie CoolMOS P7
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Verlustleistung Pd 53W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 9.82mm
	Breite 2.4 mm
	Länge 6.73mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPS70R360P7SAKMA1

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die speziell auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super Junction MOSFET, Kombiniert mit einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis und Art der Benutzerfreundlichkeit. Die Technologie erfüllt höchste Effizienzstandards und unterstützt eine hohe Leistungsdichte, sodass Kunden in sehr schlanke Designs gehen können.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251

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