Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3050
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3050
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280P7SAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 12 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD60R280P7SAUMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Spannungsbeständigkeit und hohe Betriebstemperaturen erforderlich sind. Er funktioniert als Enhancement-Modus-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben geeignet ist und eine kontrollierte, gate-gesteuerte Leitungsführung und Unterstützung für kontinuierliche Ableitströme bietet, die in Industrie- und Leistungselektronikumgebungen typisch sind.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 280 mΩ maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 53 W hält die thermische Spanne im Betrieb aufrecht
• Die typische Gate-Ladung von 18 nC bei VGS ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Der Betriebsbereich von -40 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 280 mΩ maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 53 W hält die thermische Spanne im Betrieb aufrecht
• Die typische Gate-Ladung von 18 nC bei VGS ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Der Betriebsbereich von -40 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Primärschalter mit Schaltnetzteil
• Verwendung mit Motorantrieben, die Geräte mit 600 V Nennspannung erfordern
• Kann für industrielle Leistungsschaltmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen
• Ideal für Primärschalter mit Schaltnetzteil
• Verwendung mit Motorantrieben, die Geräte mit 600 V Nennspannung erfordern
• Kann für industrielle Leistungsschaltmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?
Das Gerät darf eine Gate-Source-Spannung von 20 V nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu vermeiden.
Wie wirkt sich das Gehäuseformat auf die Montage und den Wärmeweg aus?
Das oberflächenmontierbare TO-252-Gehäuse bietet eine kompakte Grundfläche und einen direkten Wärmepfad durch die Lasche für Leiterplatten-Wärmeleitungsanordnungen.
Welche Art von Leitungsart wird verwendet, und was bedeutet das?
Er arbeitet im Enhancement-Modus als N-Kanal-Gerät, sodass für das Einschalten ein positiver Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle erforderlich ist.
Was ist das typische Gate-Ladungsverhalten für die Antriebstechnik?
Die typische Gate-Ladung von 18 nC bei VGS zeigt an, dass der Gate-Treiber diese Ladung pro Schaltvorgang liefern muss, was die Treibergrösse und die Schaltverluste beeinflusst.
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