Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Spannungsbeständigkeit und hohe Betriebstemperaturen erforderlich sind. Er funktioniert als Enhancement-Modus-Transistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben geeignet ist und eine kontrollierte, gate-gesteuerte Leitungsführung und Unterstützung für kontinuierliche Ableitströme bietet, die in Industrie- und Leistungselektronikumgebungen typisch sind.

• Maximale Drain-Source-Spannung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 12 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 280 mΩ maximaler RDS(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 53 W hält die thermische Spanne im Betrieb aufrecht
• Die typische Gate-Ladung von 18 nC bei VGS ermöglicht schnelle Schaltübergänge
• Der Betriebsbereich von -40 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Primärschalter mit Schaltnetzteil
• Verwendung mit Motorantrieben, die Geräte mit 600 V Nennspannung erfordern
• Kann für industrielle Leistungsschaltmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen

Das Gerät darf eine Gate-Source-Spannung von 20 V nicht überschreiten, um eine Überlastung des Gates zu vermeiden.

Das oberflächenmontierbare TO-252-Gehäuse bietet eine kompakte Grundfläche und einen direkten Wärmepfad durch die Lasche für Leiterplatten-Wärmeleitungsanordnungen.

Er arbeitet im Enhancement-Modus als N-Kanal-Gerät, sodass für das Einschalten ein positiver Gate-Antrieb in Bezug auf die Quelle erforderlich ist.

Die typische Gate-Ladung von 18 nC bei VGS zeigt an, dass der Gate-Treiber diese Ladung pro Schaltvorgang liefern muss, was die Treibergrösse und die Schaltverluste beeinflusst.