Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 46 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 214-4399
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R365P7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- 214-4399
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R365P7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 365mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 365mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 8.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET ist weiterhin ein Ausgleich zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
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