Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4371
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R360P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4371
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R360P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.27mm | |
| Länge | 10.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.27mm | ||
Länge 10.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 9 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB60R360P7ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er wird in einem TO-263-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine robuste Gate-Steuerung und eine hohe Ablassstrombelastbarkeit in erhöhten Temperaturbereichen erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 600 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 360 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 41 W bewältigt thermische Belastungen während des Betriebs
• 13 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Gate-Treiber-Übergänge
• Maximale Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 360 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Maximale Verlustleistung von 41 W bewältigt thermische Belastungen während des Betriebs
• 13 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Gate-Treiber-Übergänge
• Maximale Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht gängige Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Wird für Schaltstufen der Hochspannungsversorgung verwendet
• Geeignet für industrielle AC/DC-Wandlungsmodule
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung auf der Sekundärseite
• Kann für Hochspannungs-Hilfsschaltkreise für Motorantriebe verwendet werden
• Wird mit oberflächenmontierten Baugruppen verwendet, die Stromversorgungsgeräte mit drei Anschlüssen erfordern
• Geeignet für industrielle AC/DC-Wandlungsmodule
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung auf der Sekundärseite
• Kann für Hochspannungs-Hilfsschaltkreise für Motorantriebe verwendet werden
• Wird mit oberflächenmontierten Baugruppen verwendet, die Stromversorgungsgeräte mit drei Anschlüssen erfordern
Welche extremen Temperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?
Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird für die Platinenintegration verwendet?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist, um den thermischen Kontakt und die automatisierte Montage zu erleichtern.
Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen an den Gate-Treiber für schnelles Schalten?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 13 nC und einer Gate-Source-Grenzspannung von 20 V unterstützt er schnelles Schalten bei Verwendung gängiger Gate-Treiber-Spannungen.
Welche Polarität und welche Steuerungsart nutzt der Transistor?
Es handelt sich um ein N-Typ-Enhancement-Mode-Gerät, das für Low-Side- und High-Side-Schalttopologien geeignet ist.
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