Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A 101 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4420
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP80R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.04
Auf Lager
- 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.808 | CHF.9.03 |
| 25 - 45 | CHF.1.626 | CHF.8.13 |
| 50 - 120 | CHF.1.515 | CHF.7.59 |
| 125 - 245 | CHF.1.424 | CHF.7.14 |
| 250 + | CHF.1.323 | CHF.6.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4420
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP80R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 101W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Breite | 15.93 mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 101W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.4mm | ||
Breite 15.93 mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Diese Infineon 800 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Fly-Back-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung.
Es verfügt über ein vollständig optimiertes Portfolio
Es hat geringere Montagekosten
Verwandte Links
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A 101 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 26 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 17.9 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 24 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 22 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 7 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 4.5 A 37 W, 3-Pin TO-220