Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 4.5 A 37 W, 3-Pin IPP80R1K2P7XKSA1 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP80R1K2P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

800V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2Ω

Maximale Verlustleistung Pd

37W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.57 mm

Höhe

9.45mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 800V CoolMOS TM P7-Serie. Die 800-V-CoolMOS-P7-Superjunction-MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung.

Erstklassiger DPAK RDS(on)

Klassenbeste V(GS)th von 3 V und kleinste V(GS)th-Variation von ±0,5 V

Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz

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