Infineon 800V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 800 V / 11 A 29 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4356
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R450P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 1.252 | CHF 62.42 |
| 100 - 200 | CHF 1.00 | CHF 49.95 |
| 250 - 450 | CHF 0.949 | CHF 47.42 |
| 500 - 950 | CHF 0.899 | CHF 44.95 |
| 1000 + | CHF 0.859 | CHF 43.08 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4356
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R450P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 16.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.68mm | |
| Höhe | 4.85mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 16.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.68mm | ||
Höhe 4.85mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 800 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 800 V Drain-Source-Spannung, 11 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPA80R450P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und industrielle Anwendungen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für die Durchsteckmontage in herkömmlichen Stromversorgungsbaugruppen vorgesehen, was eine robuste Option darstellt, wenn eine hohe Spannungsbelastbarkeit und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 800 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 450 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste in Leistungsstufen
• Die typische Gate-Ladung von 24 nC ermöglicht eine effiziente Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 29 W bewältigt erhöhte thermische Belastungen
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Amplituden
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 450 mΩ RDS(on) minimiert Leitungsverluste in Leistungsstufen
• Die typische Gate-Ladung von 24 nC ermöglicht eine effiziente Schaltleistung
• Maximale Verlustleistung von 29 W bewältigt erhöhte thermische Belastungen
• 30-V-Gate-Toleranz ermöglicht flexible Gate-Drive-Amplituden
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Einsatz mit Schaltnetzteilen in der Energieindustrie
• Kann für die Schaltung auf der Netzseite in Booster-Schaltkreisen verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prototyping-Durchsteckmontage
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Einsatz mit Schaltnetzteilen in der Energieindustrie
• Kann für die Schaltung auf der Netzseite in Booster-Schaltkreisen verwendet werden
• Geeignet für Labor- und Prototyping-Durchsteckmontage
In welchem Temperaturbereich kann das Produkt zuverlässig betrieben werden?
Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und unterstützt sowohl den Betrieb in Umgebungen mit niedrigen als auch mit hohen Temperaturen.
Wie ist es für die Montage und Kühlung verpackt?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage vorgesehen ist und einen Anschluss an Kühlkörper oder Chassis für das Wärmemanagement ermöglicht.
Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 30 V und die typische Gesamt-Gate-Ladung beträgt 24 nC, sodass die Treiberauswahl zwischen Spannungs- und Antriebsstärke ausgeglichen werden sollte, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.
Wie wirkt sich sein Leitwiderstand auf das Design aus?
Mit einem maximalen Drain-Source-Betriebswiderstand von 450 mΩ sollten die Entwickler die Leitungsverluste bei den erwarteten Strömen und die Größe des Kühlkörpers entsprechend berücksichtigen.
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