Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 800 V / 13 A 84 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 218-3091
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW80R360P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.1.911 | CHF.57.24 |
| 60 - 120 | CHF.1.817 | CHF.54.37 |
| 150 - 270 | CHF.1.733 | CHF.52.07 |
| 300 - 570 | CHF.1.659 | CHF.49.80 |
| 600 + | CHF.1.544 | CHF.46.37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3091
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW80R360P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | 800V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 84W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie 800V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 84W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 800 V CoolMOS TM P7 N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Er eignet sich für harte und weiche Schalt-Flyback-Topologien für LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter mit geringer Leistungsaufnahme, Audio, AUX-Leistung und industrielle Leistung.
Erstklassige Leistung
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Vollständig optimiertes Portfolio
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