Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 82 A 230 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4443
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2807STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | CHF.0.707 | CHF.568.83 |
| 1600 + | CHF.0.677 | CHF.540.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4443
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF2807STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 82A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 82A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und Robustheit Das Gerätedesign bietet ein zuverlässiges und effizientes Gerät
Er ist für eine Volllawine ausgelegt
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