Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 51 A 82 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4464
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.1.187 | CHF.17.75 |
| 75 - 135 | CHF.1.124 | CHF.16.86 |
| 150 - 360 | CHF.1.103 | CHF.16.53 |
| 375 - 735 | CHF.1.029 | CHF.15.46 |
| 750 + | CHF.0.956 | CHF.14.39 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4464
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser starke IRFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Er ist für die synchrone Gleichrichtung optimiert
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