onsemi FCH029N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 75 A 463 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.19.251

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • Zusätzlich 69 Einheit(en) mit Versand ab 04. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.19.25
10 +CHF.16.59

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-8791
Herst. Teile-Nr.:
FCH029N65S3-F155
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

FCH029N

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

463W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

201nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

These Devices are Pb-Free and are RoHS

Länge

15.9mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor MOSFET ist eine brandneue Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Bleifrei

RoHS-konform

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.