onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 337 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-8892
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL065N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.206.04
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.6.868 | CHF.205.98 |
| 60 - 60 | CHF.6.605 | CHF.198.16 |
| 90 + | CHF.6.515 | CHF.195.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8892
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL065N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 65mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 337W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 98nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie NTHL | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 337W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 98nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 21.1 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor MOSFET ist eine brandneue Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Bleifrei
RoHS-konform
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