onsemi NTP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 101 A 2.4 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-8913
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP7D3N15MC
- Marke:
- onsemi
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- NTP7D3N15MC
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 101A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | NTP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.53mm | |
| Breite | 15.75 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 101A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie NTP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.53mm | ||
Breite 15.75 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Serie on Semiconductor NTP ist ein n-Kanal-MOSFET mit geschirmter Gate-MOSFET-Technologie, der eine Ableitungs-/Quellspannung von 150 V hat Er wird typischerweise in synchroner Gleichrichtung und Mikro-Solarwechselrichter usw. verwendet
Bleifrei
RoHS-konform
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