onsemi NTP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-8911
- Herst. Teile-Nr.:
- NTP082N65S3HF
- Marke:
- onsemi
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- NTP082N65S3HF
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | NTP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 82mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 81nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.53mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie NTP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 81nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.53mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor MOSFET ist eine brandneue Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.
Bleifrei
RoHS-konform
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