onsemi SUPERFET III N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 4-Pin H-PSOF
- RS Best.-Nr.:
- 230-9082
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL082N65S3HF
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Gehäusegröße | H-PSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 82mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | |
| Länge | 10.2mm | |
| Höhe | 13.28mm | |
| Breite | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Gehäusegröße H-PSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 82mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP | ||
Länge 10.2mm | ||
Höhe 13.28mm | ||
Breite 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz.
Hohe Leistungsdichte
Kelvin-Quellkonfiguration
Geringes Gate-Rauschen und Schaltverluste
Optimierte Kapazität
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
Garantie für Feuchtigkeitsempfindlichkeit Stufe 1
Hohe Zuverlässigkeit in feuchter Umgebung
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