onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 313 W, 4-Pin H-PSOF

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
230-9082
Herst. Teile-Nr.:
NTBL082N65S3HF
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

H-PSOF

Serie

SUPERFET III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

82mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

79nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

313W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP

Höhe

13.28mm

Breite

2.4 mm

Länge

10.2mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Daher ist der SuperFET III MOSFET sehr geeignet für die verschiedenen Stromversorgungssysteme für Miniaturisierung und höhere Effizienz.

Hohe Leistungsdichte

Kelvin-Quellkonfiguration

Geringes Gate-Rauschen und Schaltverluste

Optimierte Kapazität

Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation

Garantie für Feuchtigkeitsempfindlichkeit Stufe 1

Hohe Zuverlässigkeit in feuchter Umgebung

Verwandte Links