onsemi NTPF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 11 A 29.5 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-8914
- Herst. Teile-Nr.:
- NTPF450N80S3Z
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 214-8914
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- NTPF450N80S3Z
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | NTPF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.53mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie NTPF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.53mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die on Semiconductor ist eine Hochleistungs-MOSFET-Familie mit 800 V Durchschlagsspannung. Er ist für den primären Schalter des Flyback-Wandlers optimiert und ermöglicht geringere Schaltverluste und Gehäusetemperatur ohne Einbußen bei der EMI-Leistung.
ESD Verbesserte Fähigkeit mit Zenerdiode
RoHS-kompatibel
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