Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 523 A 375 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-8963
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFSA8409-7TRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.7.739 | CHF.38.68 |
| 10 - 20 | CHF.6.962 | CHF.34.82 |
| 25 - 45 | CHF.6.50 | CHF.32.50 |
| 50 - 120 | CHF.6.038 | CHF.30.18 |
| 125 + | CHF.5.565 | CHF.27.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8963
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFSA8409-7TRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 523A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.69mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 305nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.54mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 523A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.69mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 305nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.54mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Neuer extrem niedriger Einschaltwiderstand
Kfz-zugelassen
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