Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 522 A 375 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
215-2453
Herst. Teile-Nr.:
AUIRFS8409-7TRL
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

522A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

305nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Automotive DirectFET ® Power MOSFET verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 60 V mit einem maximalen Dauerablassstrom von 68 A in einem 7-poligen D2-Pak Gehäuse. Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand im par Silizium-Bereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieser Designs sind 175 °C Sperrschicht-Betriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und Verbesserung der sich wiederholenden Lawineneinstufung. Diese Funktion kombiniert, um dieses Produkt zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und in einer Vielzahl anderer Anwendungen zu machen.

Fortschrittliche Verfahrenstechnologie

Neuer extrem niedriger Einschaltwiderstand

Fast Switching

Wiederholte Lawine bis Tjmax erlaubt

Ohne Leitung

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