Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 50 A 42 W, 7-Pin MG-WDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8966
- Herst. Teile-Nr.:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 214-8966
- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | MG-WDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.05mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße MG-WDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.05mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Serie ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und den Energieverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug). Diese bestehen aus einer Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren in Hochleistungspaketen, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und volle Flexibilität auf begrenztem Raum zu bieten.
Geringe parasitäre Induktivität
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Beidseitige Kühlung
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