Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 50 A 42 W, 7-Pin MG-WDSON

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RS Best.-Nr.:
214-8966
Herst. Teile-Nr.:
BSB104N08NP3GXUSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

MG-WDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.35 mm

Länge

5.05mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Serie ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und den Energieverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug). Diese bestehen aus einer Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren in Hochleistungspaketen, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und volle Flexibilität auf begrenztem Raum zu bieten.

Geringe parasitäre Induktivität

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Beidseitige Kühlung

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