Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 68 A 89 W WDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-3963
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6646TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.5.494
Auf Lager
- Zusätzlich 4'688 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 2.747 | CHF 5.51 |
| 20 - 48 | CHF 2.485 | CHF 4.97 |
| 50 - 98 | CHF 2.303 | CHF 4.62 |
| 100 - 198 | CHF 2.151 | CHF 4.30 |
| 200 + | CHF 2.01 | CHF 4.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3963
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6646TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | WDSON | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.5mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße WDSON | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.5mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit dem fortschrittlichen DirectFETTM-Gehäuse erreicht den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil hat. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphase-, Infrarot- oder Konvektionslöttechniken verwendet werden. Der Anwendungshinweis AN-1035 wird bezüglich der Herstellungsmethoden und -prozesse befolgt.
Anwendungsspezifische MOSFETs
Ideal für leistungsstarke isolierte Konverter
Primärschalterbuchse
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Geringe Leitungsverluste
Hohe Cdv/dt-Immunität
Flache Bauweise (<0,7 mm)
Kompatibel mit doppelseitiger Kühlung
Kompatibel mit vorhandener Oberflächenmontagetechnik
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 68 A 89 W WDSON
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 180 A 89 W WDSON
- Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 25 V / 220 A 96 W WDSON
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55 A 89 W, 7-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 89 A TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 67 A 89 W Micro8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 57 A 89 W SO-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 50 A 42 W, 7-Pin MG-WDSON