Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 68 A 89 W WDSON

RS Best.-Nr.:: 258-3963
Herst. Teile-Nr.:: IRF6646TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 68 A 89 W WDSON

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20 - 48	CHF.2.111	CHF.4.22
50 - 98	CHF.1.964	CHF.3.93
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RS Best.-Nr.:: 258-3963
Herst. Teile-Nr.:: IRF6646TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	68A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	WDSON
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	9.5mΩ
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Maximale Verlustleistung Pd	89W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße WDSON
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.5mΩ
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Maximale Verlustleistung Pd 89W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF6646TRPBF

Die Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit dem fortschrittlichen DirectFETTM-Gehäuse erreicht den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil hat. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphase-, Infrarot- oder Konvektionslöttechniken verwendet werden. Der Anwendungshinweis AN-1035 wird bezüglich der Herstellungsmethoden und -prozesse befolgt.

Anwendungsspezifische MOSFETs

Ideal für leistungsstarke isolierte Konverter

Primärschalterbuchse

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Geringe Leitungsverluste

Hohe Cdv/dt-Immunität

Flache Bauweise (<0,7 mm)

Kompatibel mit doppelseitiger Kühlung

Kompatibel mit vorhandener Oberflächenmontagetechnik

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 68 A 89 W WDSON

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