Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 67 A 89 W Micro8

RS Best.-Nr.:: 257-9297
Herst. Teile-Nr.:: IRF6674TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 67 A 89 W Micro8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9297
Herst. Teile-Nr.:: IRF6674TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	67A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	Micro8
	Serie	HEXFET
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	11mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	89W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	24nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße Micro8
	Serie HEXFET
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 11mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 89W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF6674TRPBF

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET mx-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Hoher Nennstrom

Doppelseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)

100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)

Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 67 A 89 W Micro8

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