Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 180 A 89 W WDSON

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RS Best.-Nr.:
258-3966
Herst. Teile-Nr.:
IRF6727MTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

WDSON

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Durchlassspannung Vf

0.77V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Hoher Nennstrom

Zweiseitige Kühlung

Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm

Kompakter Formfaktor

Hoher Wirkungsgrad

Umweltfreundlich

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