Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 89 W SO-8

RS Best.-Nr.:: 257-9296
Herst. Teile-Nr.:: IRF6644TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 57 A 89 W SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF 6.50

Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	CHF 3.252	CHF 6.49
20 - 48	CHF 2.858	CHF 5.72
50 - 98	CHF 2.687	CHF 5.38
100 - 198	CHF 2.505	CHF 5.01
200 +	CHF 1.778	CHF 3.57

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 257-9296
Herst. Teile-Nr.:: IRF6644TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	57A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	13mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	89W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	28nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 89W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF6644TRPBF

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 57 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRF6644TRPBF

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung und -steuerung in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem kompakten SO-8-Gehäuse für die Montage auf Leiterplatten geliefert. Das Gerät eignet sich für Bereiche, in denen eine hohe Strombelastbarkeit und ein geringer Durchlassverlust erforderlich sind, und erfüllt die RoHS-Umweltbeschränkungen.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennspannung von 100 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 57 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• 13 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 89 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 28 nC Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler in Netzteilen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für High-Side- oder Low-Side-Schaltvorgänge verwendet werden
• Geeignet für Zwischenbus- und Stromverwaltungsschaltkreise

Wie groß ist der zulässige Umgebungstemperaturbereich?

Es funktioniert bei einer Temperatur von mindestens -55 °C bis zu maximal 150 °C.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen während des Antriebs beachtet werden?

Das Gate darf ±20 V gegenüber der Quelle nicht überschreiten, um Schäden zu vermeiden.

Wie verhält sich die intrinsische Diode bei der Vorwärtsleitung?

Die eingebaute Diode weist während der Leitung eine Durchlassspannung von 1,3 V auf.

Welche Verpackung ist für die Leiterplattenmontage zu erwarten?

Er wird in einem oberflächenmontierten SO-8-Gehäuse geliefert, das für die Standard-Lötmontage geeignet ist.