Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 100 V / 57 A 89 W SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-9296
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6644TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 257-9296
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- IRF6644TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 89W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 89W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie, die für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert ist. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweifachseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)
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