Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 68 A 89 W WDSON

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RS Best.-Nr.:
258-3962
Herst. Teile-Nr.:
IRF6646TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

WDSON

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.5mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

89W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET-Siliziumtechnologie mit dem fortschrittlichen DirectFETTM-Gehäuse erreicht den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse, das die Abmessungen eines SO-8 und nur 0,7 mm Profil hat. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphase-, Infrarot- oder Konvektionslöttechniken verwendet werden. Der Anwendungshinweis AN-1035 wird bezüglich der Herstellungsmethoden und -prozesse befolgt.

Anwendungsspezifische MOSFETs

Ideal für leistungsstarke isolierte Konverter

Primärschalterbuchse

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Geringe Leitungsverluste

Hohe Cdv/dt-Immunität

Flache Bauweise (<0,7 mm)

Kompatibel mit doppelseitiger Kühlung

Kompatibel mit vorhandener Oberflächenmontagetechnik

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