Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 40 A 2.5 W, 8-Pin TISON-8
- RS Best.-Nr.:
- 214-8977
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0910NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 90 | CHF.1.155 | CHF.11.60 |
| 100 - 240 | CHF.1.134 | CHF.11.35 |
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- RS Best.-Nr.:
- 214-8977
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0910NDIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | TISON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.87V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße TISON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.87V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen. Die zweifach-N-Kanal OptiMOS MOSFETs werden halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 und bleifreie Kabelbeschichtung geliefert; Erfüllt RoHS.
Monolithische integrierte Schottky-Diode
Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler
100%ig auf Stoßentladung geprüft
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