Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin DSO
- RS Best.-Nr.:
- 222-4625
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO604NS2XUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.15.25
Vorübergehend ausverkauft
- 5'000 Einheit(en) mit Versand ab 07. Januar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.525 | CHF.15.25 |
| 50 - 90 | CHF.1.454 | CHF.14.49 |
| 100 - 240 | CHF.1.303 | CHF.13.04 |
| 250 - 490 | CHF.1.172 | CHF.11.72 |
| 500 + | CHF.1.111 | CHF.11.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4625
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO604NS2XUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.47mm | |
| Breite | 3.94 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.47mm | ||
Breite 3.94 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Logikpegel
Grünes Produkt mit Verbesserungsmodus (RoHS-konform)
AEC-Zulassung
Verwandte Links
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 55 V Erweiterung / 5 A 2 W, 8-Pin DSO
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal MOSFET 55 V Erweiterung / 20 A 65 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-Transistor 55 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin DSO
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 25 V Erweiterung / 40 A 2.5 W, 8-Pin TISON-8
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET & Diode 100 V Erweiterung / 20 A 43 W, 8-Pin TDSON
- Infineon Doppelt OptiMOS Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET-Arrays 60 V Erweiterung / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8