Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10.9 A 62.5 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8988
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.13.34
Auf Lager
- 80 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.334 | CHF.13.36 |
| 50 - 90 | CHF.1.271 | CHF.12.68 |
| 100 - 240 | CHF.1.218 | CHF.12.16 |
| 250 - 490 | CHF.1.166 | CHF.11.61 |
| 500 + | CHF.1.082 | CHF.10.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8988
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ16DN25NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 165mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.49mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.35 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 165mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.49mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.35 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 250-V-OptiMOS-Produkte sind führende Benchmark-Technologien, die sich perfekt für die synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Netzteilen (USV) und Wechselrichtern für DC-Motorantriebe eignen. Mit niedrigstem Platinenplatzverbrauch ermöglicht dies eine Verbesserung der Systemkosten. Sie bieten erstklassige Leistung für mehr Effizienz, Leistungsdichte und umweltfreundliche Eigenschaften.
Er hat eine Betriebstemperatur von 150 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 10.9 A 62.5 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 40 A 26 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 96 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 37 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 126 A 69 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6 A 62.5 W, 3-Pin
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin TSDSON
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 50 W, 8-Pin TSDSON