Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 51 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9053
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R750P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
75 weitere Einheiten hinzufügen, um 4% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
CHF 18.48
Auf Lager
- Zusätzlich 2'415 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF 1.232 | CHF 18.54 | - |
| 75 - 135 | CHF 1.172 | CHF 17.61 | 4% |
| 150 - 360 | CHF 1.151 | CHF 17.25 | 6% |
| 375 - 735 | CHF 1.071 | CHF 16.14 | 13% |
| 750 + | CHF 1.00 | CHF 15.03 | 18% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9053
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R750P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 51W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 51W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die neueste 800-V-CoolMOS-P7-Serie von Infineon setzt neue Maßstäbe in 800-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit modernster Art von Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18-jährigen bahnbrechenden Innovation der Super-Abzweigtechnologie von Infineon ergibt. Diese sind einfach zu steuern und parallel zu betreiben, was Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten ermöglicht. Diese werden für harte und weiche Schalt-Fly-Back-Topologien für LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter mit geringer Leistungsaufnahme, Audio, AUX-Leistung und industrielle Leistung empfohlen.
Es wird mit vollständig optimiertem Portfolio geliefert
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 51 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.9 A 18 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A 60 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 22 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 24 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 800V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 45 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 800 V / 7 A 51 W, 3-Pin TO-251