Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-9094
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.69.85
Auf Lager
- 350 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 + | CHF.1.397 | CHF.69.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9094
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 9.45mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon CoolMOS-Serie ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für hartes und weiches Schalten geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPP60R180C7XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPW60R180C7XKSA1 TO-247
- Infineon 600V CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-263
- Infineon 600V CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin IPB60R180C7ATMA1 TO-263
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 227 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin IPP65R190C7FKSA1 TO-220