Infineon 600V CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-263

Die Infineon 600 V Cool MOS TM C7 Super Junction (SJ) MOSFET-Serie bietet eine ∼50 % Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum Cool MOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC, TTF und anderen hart schaltenden Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte. Effizienz- und TCO-Anwendungen (Gesamtbetriebskosten) wie Hyper-Rechenzentren und hocheffiziente Telekommunikationsgleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die Cool MOS TM C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Im Fall eines 2,5-kW-Servernetzteils beispielsweise kann die Verwendung von 600-V-Cool-MOS-C7-SJ-MOSFETs in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse zu einer Senkung der Energiekosten von ∼10 % bei PSU-Energieverlust führen.

Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss