Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 13 A 72 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-9334
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190C7FKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 145-9334
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP65R190C7FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 72W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Breite | 15.95mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 72W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Breite 15.95mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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